Stopnie mocy LMG3410R050/LMG3411R050 600V GaN FET

Stopnie mocy GaN LMG3410R050 oraz LMG3411R050 firmy Texas Instruments ze zintegrowanymi sterownikami i zabezpieczeniami pozwalają projektantom uzyskać wysokie poziomy gęstości mocy i sprawności w układach energoelektronicznych. Urządzenia te charakteryzują się znaczącymi zaletami w porównaniu z krzemowymi tranzystorami MOSFET, takimi jak ultraniska pojemność wejściowa i wyjściowa, zerowa regeneracja wsteczna zmniejszająca straty przełączania nawet o 80%, a także niskie oscylacje komutacyjne węzła przełączającego redukujące zakłócenia elektromagnetyczne (EMI). Zalety te umożliwiają stosowanie topologii o wysokiej sprawności i gęstości, takich jak np. korekcja współczynnika mocy (PFC) typu totem-pole.

Układy LMG3410R050 oraz LMG3411R050 stanowią inteligentną alternatywę dla tradycyjnych technologii cascode GaN i autonomicznych tranzystorów GaN FET dzięki integracji unikalnych funkcji, uproszczeniu projektu, maksymalizacji niezawodności i optymalizacji parametrów każdego zasilacza. Zintegrowany sterownik bramek pozwala na przełączanie 100V/ns z niemal zerowymi oscylacjami komutacyjnymi V_DS, odpowiedź ograniczania poniżej 100ns zabezpiecza przed niepożądanymi zdarzeniami jednoczesnego przewodzenia (shoot-through), wyłączanie przy nadmiernej temperaturze zapobiega rozbiegowi termicznemu, a sygnały interfejsu systemowego zapewniają funkcję automonitorowania.