Tranzystory IGBT typu trench gate field-stop klasy motoryzacyjnej STGWA60V60DWFAG
Bardzo szybkie tranzystory IGBT typu trench gate field-stop klasy motoryzacyjnej firmy STMicroelectronics 600 V, 60 A z diodą SiC w konfiguracji flyback
Tranzystory IGBT STGWA60V60DWFAG firmy
STMicroelectronics opracowano z zastosowaniem zastrzeżonej struktury trench gate field-stop. Urządzenia te zaliczają się do tranzystorów IGBT serii V, która stanowi optymalny kompromis pomiędzy stratami w stanie przewodzenia i przełączania, umożliwiający uzyskanie maksymalnej sprawności przetwornic wysokiej częstotliwości. Ponadto dodatni współczynnik temperaturowy VCE(sat) i bardzo mały rozrzut parametrów skutkują zwiększeniem bezpieczeństwa podczas pracy równoległej. W jednej obudowie z tranzystorem IGBT zastosowano diodę węglikowo-krzemową: podczas wyłączania diody SiC nie obserwuje się regeneracji, a już zminimalizowane zjawisko wyłączania pojemnościowego jest niezależne od temperatury. Wysoka odporność na przepięcia w kierunku przewodzenia zapewnia dobrą wytrzymałość podczas stanów nieustalonych.
- Kwalifikacja wg normy AEC-Q101
- Maksymalna temperatura złącza: TJ=175°C
- VCE(sat) = 1,85V (typ.) przy IC = 60A
- Brak końcowego prądu przełączania
- Mały rozrzut parametrów
- Niski opór cieplny
- Dodatni współczynnik temperaturowy VCE(sat)
- W obudowie znajduje się również dioda węglikowo-krzemowa nie wykazująca ładunku regeneracyjnego wstecznego, połączona w konfiguracji flyback
STGWA60V60DWFAG 600 V IGBT V series
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) | Prąd - kolektora (Ic) (maks.) | Prąd - impulsowy kolektora (Icm) | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | STGWA60V60DWFAG | IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247 | 600 V | 80 A | 240 A | 600 - Immediate | $31.89 | Wyświetl szczegóły |




