Galwanicznie izolowany sterownik jednobramkowy STGAP2SiCS firmy STMicroelectronics do tranzystorów SiC MOSFET

Układy STGAP2SiCS firmy STMicroelectronics są wysokonapięciowymi (do 1200V) sterownikami bramek wytwarzanymi z zastosowaniem technologii BCD6s. Zapewniają one izolację galwaniczną 6kV pomiędzy kanałem sterującym bramką oraz interfejsem i obwodami sterowania niskiego napięcia. Należą do grupy urządzeń w kompaktowej obudowie z izolacją galwaniczną 6kV. Wyjście urządzenia może pracować w trybie źródła i odbioru prądów o natężeniu do 4A. Zabezpieczenie przed przewodzeniem krzyżowym realizowane jest poprzez funkcję blokady współzależnej. Urządzenie posiada odrębne wtyki wejściowe dla każdego wyjścia. Wejścia logiczne są kompatybilne z technologiami CMOS/TTL, nawet przy napięciach obniżonych do 3,3V, co ułatwia współpracę z urządzeniami sterującymi. Dopasowanie opóźnienia pomiędzy sekcjami strony wysokiej i niskiej gwarantuje brak zniekształceń cykli oraz pozwala na pracę z wysokimi częstotliwościami. Urządzenia STGAP2SiCS są dostępne w dwóch różnych konfiguracjach. Konfiguracja z oddzielnym wtykiem wyjściowym pozwala użytkownikom na niezależną optymalizację włączania i wyłączania przy użyciu dedykowanego rezystora bramki. Konfiguracja posiadająca pojedynczy wtyk wyjściowy i funkcję ograniczenia efektu Millera zapobiega wyskokom impulsów bramki podczas szybkich komutacji w topologiach półmostkowych.