Jednokanałowe sterowniki bramek STGAP2GS oraz STGAP2GSN

Galwanicznie izolowane jednokanałowe sterowniki bramek STGAP2GS oraz STGAP2GSN firmy STMicroelectronics, przeznaczone dla tranzystorów mocy GaN ze wzbogaceniem, posiadają obudowy szerokie SO-8W i standardowe SO-8. Wykorzystują one najnowsze technologie izolacji i zajmują niewielką powierzchnię na płytce. Sterownik bramki charakteryzuje się prądem 2A dla źródła oraz 3A dla odbioru i wyjść typu rail-to-rail, dzięki czemu nadaje się również do zastosowań średniej i dużej mocy, takich jak przekształtniki mocy i przemienniki sterujące silnikami w zastosowaniach przemysłowych.

Odporność dv/dt w stanach nieustalonych wynosi ±100V/ns w pełnym zakresie temperatur, co zapewnia znakomitą odporność na napięciowe stany nieustalone. Urządzenie dostępne jest w oddzielnych opcjach sterowania bramkami w konfiguracji źródła i odpływu, co ułatwia sterowanie oraz optymalizuje niezależne włączanie i wyłączanie dzięki użyciu niezależnych rezystorów.

Urządzenie zawiera funkcje zabezpieczeń, takie jak wyłączanie termiczne, które ustawia wyjście sterownika w stan niski, gdy temperatura złącza osiągnie ustaloną wartość progową, a także blokada pracy przy zbyt niskim napięciu (UVLO) na poziomie zoptymalizowanym pod kątem tranzystorów GaN FET ze wzbogaceniem, co ułatwia projektowanie systemów o wysokiej sprawności i niezawodności. Podwójne wtyki wejściowe pozwalają na wybór sterowania biegunowością sygnału i wdrożenie sprzętowej blokady zabezpieczającej przed przewodzeniem krzyżowym.

Opóźnienie propagacji między wejściem i wyjściem nie przekracza 45ns, co zapewnia wysoką dokładność sterowania w modulacji szerokości impulsu (PWM). Dostępny jest tryb czuwania zmniejszający zużycie mocy w stanie bezczynności. Wejścia logiczne są kompatybilne z technologiami CMOS/TTL przy napięciach zaledwie 3,3V, co upraszcza współpracę z mikrokontrolerami i peryferiami cyfrowych procesorów sygnałowych (DSP).