Tranzystor CSP-MOSFET RA1C030LDT5CL o ultraniskiej rezystancji w stanie włączenia (rozmiar 1006)

Urządzenia RA1C030LD firmy ROHM są oferowane w obudowach WLCSP (Wafer-Level Chip-Size Package) w rozmiarze DSN1006-3 (1,0mm x 0,6mm), w których wykorzystano zastrzeżony przez firmę ROHM proces scalania umożliwiający uzyskanie niskich strat mocy przy większej miniaturyzacji. Jeżeli chodzi o współczynnik dobroci wyrażający relację strat przewodzenia i przełączania (rezystancja w stanie włączenia × Q_gd), uzyskano wiodącą w branży wartość, która jest o 20% niższa w porównaniu z produktami w standardowych obudowach o takiej samej wielkości (1,0mm x 0,6mm lub mniejszych), co znacznie zmniejsza miejsce zajmowane na płytce i zwiększa sprawność różnych urządzeń kompaktowych. Unikalna struktura obudowy opracowana przez firmę ROHM zapewnia jednocześnie ochronę izolacyjną ścianek bocznych (w przeciwieństwie do standardowych produktów w takich samych obudowach bez zabezpieczenia). Zmniejsza to ryzyko zwarć spowodowanych kontaktem pomiędzy komponentami w urządzeniach kompaktowych wymagających montażu dużej gęstości ze względu na ograniczenia miejsca, co zwiększa bezpieczeństwo działania.