EPC

GaN FETs in PQFN Packages

EPC GaN FETs deliver exceptional performance in compact footprints ideal for high-density power conversion

Image of EPC GaN FETs in PQFN PackagesGallium Nitride (GaN) FETs in PQFN packages from EPC deliver exceptional performance in compact footprints ideal for high-density power conversion. These devices offer ultra-low on-resistance, low gate charge, and minimal switching losses, enabling higher efficiency and faster switching speeds than traditional silicon MOSFETs.

With voltage ratings up to 200 V and pulsed current capabilities exceeding 400 A in some parts, these GaN FETs are perfect for demanding applications such as motor drives, robotics, and high-performance computing.

Features
  • Cost-effective
  • Higher performance than a MOSFET
    • Faster
    • Smaller
    • Higher current
  • Ease of use
    • Footprint compatibility maximizes design flexibility
  • Excellent thermal
    • Exposed top
    • Ultra-low thermal resistance
Applications
  • AC/DC chargers
  • High-frequency DC/DC converters
  • Motor drives
  • Solar MPPT
  • Class-D audio

GaN FETs in PQFN Packages

ObrazManufacturer Part NumberOpisTyp FETTechnologiaNapięcie dren-źródło (Vdss)Dostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
Nowe produkty
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PIKanał NGaNFET (azotek galu)100 V18894 - Immediate$24.61Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 100V DIE .0018OHMEPC2302TRANS GAN 100V DIE .0018OHMKanał NGaNFET (azotek galu)100 V140136 - Immediate$28.64Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNEPC2304TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNKanał NGaNFET (azotek galu)200 V23647 - Immediate$30.18Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNEPC2305TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNKanał NGaNFET (azotek galu)150 V26029 - Immediate$29.43Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNEPC2306TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNKanał NGaNFET (azotek galu)100 V20197 - Immediate$18.18Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNEPC2307TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNKanał NGaNFET (azotek galu)200 V7155 - Immediate$18.18Wyświetl szczegóły
TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNEPC2308TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNKanał NGaNFET (azotek galu)150 V6084 - Immediate$18.64Wyświetl szczegóły

Evaluation Boards

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2304EPC90140EVAL BOARD FOR EPC230439 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2305EPC90143EVAL BOARD FOR EPC230515 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2306EPC90145EVAL BOARD FOR EPC230659 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2307EPC90150EVAL BOARD FOR EPC230732 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2308EPC90148EVAL BOARD FOR EPC230829 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
EVAL BOARD FOR EPC2302EPC90133EVAL BOARD FOR EPC230246 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367EPC90164BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC236711 - Immediate$705.96Wyświetl szczegóły
Published: 2025-04-10

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Publish Date: 2025-01-29

GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit
GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit

Publish Date: 2023-09-19

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Publish Date: 2023-08-31

Related Product Highlight

FirePower™ Laser Firing System ICs Silanna FirePower™ laser firing system ICs features up to 10 MHz rep rate limited by temperature rise in laser and other board components.
EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor The EPC EPC2367 100 V enhancement-mode eGaN® power transistor is optimized for ultra-high efficiency and power density in high-frequency switching applications.
EPC91107KIT + EPC91110KIT 5 kW GaN AC to 48 V/50 V Reference Solution The EPC EPC91107KIT + EPC91110KIT 5 kW GaN AC to 48 V/50 V reference solution is powered by GaN; EPC2304 (200 V, 5 mΩ) in PFC and EPC2305 (150 V, 3 mΩ) in LLC.

Related Articles and Blogs

Zastosowanie urządzeń zasilających GaN w najlepszych przemiennikach do silników średniej mocy Układy przełączania mocy oparte na technologii GaN oferują wysoką sprawność, mniejsze rozmiary i lepsze parametry termiczne w przemiennikach do silników średniej mocy.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej poprawiają sprawność działania ośrodków przetwarzania danych Ponieważ ośrodki przetwarzania danych charakteryzują się ogromnym zapotrzebowaniem na energię, wymagane są rozwiązania w zakresie zasilania, które mogą zmniejszyć straty mocy, zwiększyć sprawność i poprawić kontrolę termiczną.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.