Diody 650 V 8A Otwór przelotowy TO-220-2L
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

TRS8E65H,S1Q

Numer produktu DigiKey
264-TRS8E65H,S1Q-ND
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
TRS8E65H,S1Q
Opis
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Standardowy czas realizacji przez producenta
24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 8A Otwór przelotowy TO-220-2L
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
8A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.35 V @ 8 A
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
90 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
520pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220-2L
Temperatura robocza - złącze
175°C
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 313
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
112,07000 zł12,07 zł
505,89280 zł294,64 zł
1005,61030 zł561,03 zł
5005,13838 zł2 569,19 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:12,07000 zł
Cena jednostkowa z VAT:14,84610 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
7 Pozycje
TK024N60Z1,S1F

TK024N60Z1,S1F

N-CH MOSFET 600V 0.024OHM 10V

Toshiba Semiconductor and Storage

54,75000 zł
TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q

MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

8,64000 zł
TK125A60Z1,S4X

TK125A60Z1,S4X

N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

13,25000 zł
TK080N60Z1,S1F

TK080N60Z1,S1F

600V DTMOS6 TO-247 80MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

22,79000 zł
TPM1R908QM,LQ

TPM1R908QM,LQ

N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,

Toshiba Semiconductor and Storage

10,25000 zł
TW092V65C,LQ

TW092V65C,LQ

N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH

Toshiba Semiconductor and Storage

80,14000 zł
TMPM332FWUG(C)

TMPM332FWUG(C)

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 64LQFP

Toshiba Semiconductor and Storage

11,93000 zł