Name: GSGP9R115
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-GSGP9R115TR-ND
Price: 11.7957 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GSGP9R115
Numer produktu DigiKey	4786-GSGP9R115TR-ND - Taśma i szpula (TR) 4786-GSGP9R115CT-ND - Taśma cięta (CT) 4786-GSGP9R115DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Good-Ark Semiconductor
Numer produktu producenta	GSGP9R115
Opis	MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 87A (Tc) 142W (Tc) Montaż powierzchniowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Good-Ark Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	87A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,1mOhm przy 42A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2808 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	142W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-PPAK (5.1x5.86)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN