Name: RS1G201ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1G201ATTB1TR-ND
Price: 15.9777 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

RS1G201ATTB1
Numer produktu DigiKey	846-RS1G201ATTB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-RS1G201ATTB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-RS1G201ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	RS1G201ATTB1
Opis	MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Ta), 78A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,2mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6890 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSOP
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	RS1G