Name: HT8KC5TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-HT8KC5TB1TR-ND
Price: 7.0233 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

HT8KC5TB1
Numer produktu DigiKey	846-HT8KC5TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	HT8KC5TB1
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,5A (Ta), 10A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 3,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3,1nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	135pF przy 30V
Moc - maks.	2W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HSMT (3,2x3)