
HT8KC5TB1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 846-HT8KC5TB1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-HT8KC5TB1CT-ND - Taśma cięta (CT) 846-HT8KC5TB1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | HT8KC5TB1 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8HSMT |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 18 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 3,5A (Ta), 10A (Tc) 2W (Ta), 13W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 3,5A (Ta), 10A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 90mOhm przy 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 3,1nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 135pF przy 30V | |
Moc - maks. | 2W (Ta), 13W (Tc) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerVDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 8-HSMT (3,2x3) |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,57000 zł | 5,57 zł |
| 10 | 3,53200 zł | 35,32 zł |
| 100 | 2,35610 zł | 235,61 zł |
| 500 | 1,85078 zł | 925,39 zł |
| 1 000 | 1,68817 zł | 1 688,17 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,48171 zł | 4 445,13 zł |
| 6 000 | 1,37781 zł | 8 266,86 zł |
| 9 000 | 1,33481 zł | 12 013,29 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,85110 zł |







