IRF7303TRPBF jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

IRF7303TRPBFXTMA1
Infineon Technologies
W magazynie: 5 274
Cena jednostkowa : 1,14000 zł
Arkusz danych

Similar

IRF8313PBF
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

AO4842
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 3 526
Cena jednostkowa : 0,73000 zł
Arkusz danych

Similar

DI003N03SQ2
Diotec Semiconductor
W magazynie: 4 000
Cena jednostkowa : 0,82000 zł
Arkusz danych

Similar

DMG4822SSD-13
Diodes Incorporated
W magazynie: 5 759
Cena jednostkowa : 0,79000 zł
Arkusz danych

Similar

FDS6930B
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,70000 zł
Arkusz danych

Similar

NVMD4N03R2G
onsemi
W magazynie: 2 379
Cena jednostkowa : 1,42000 zł
Arkusz danych

Similar

PJL9802_R2_00001
Panjit International Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,11295 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
MOSFET - układy 30V 4,9A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF7303TRPBF

Numer produktu DigiKey
IRF7303PBFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
IRF7303PBFCT-ND - Taśma cięta (CT)
IRF7303PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF7303TRPBF
Opis
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta
35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 30V 4,9A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IRF7303TRPBF Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja
2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
4,9A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
50mOhm przy 2,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
25nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
520pF przy 25V
Moc - maks.
2W
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Bazowy numer produktu
IRF73
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Dostępne do zamawiania
Sprawdź czas realizacji
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
4 0001,40353 zł5 614,12 zł
8 0001,30592 zł10 447,36 zł
12 0001,25621 zł15 074,52 zł
20 0001,20038 zł24 007,60 zł
28 0001,16732 zł32 684,96 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:1,40353 zł
Cena jednostkowa z VAT:1,72634 zł
Produkt powiązanyZobacz wszystko
7 Pozycje
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,79000 zł
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

3,41000 zł
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,33000 zł
2EDF7275KXUMA1

2EDF7275KXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDG TFLGA-13

Infineon Technologies

8,88000 zł
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,04000 zł
6EDL04N02PRXUMA1

6EDL04N02PRXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

12,84000 zł
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,63000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
4 Pozycje
IRF7303TRPBFXTMA1

IRF7303TRPBFXTMA1

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902

Infineon Technologies

5,58000 zł
AD823ARZ

AD823ARZ

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

Analog Devices Inc.

31,81000 zł
ADG1411YRUZ

ADG1411YRUZ

IC SW SPST-NCX4 1.8OHM 16TSSOP

Analog Devices Inc.

35,18000 zł
IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO

Infineon Technologies

4,51000 zł