Name: IPD50P04P413ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50P04P413ATMA2TR-ND
Price: 7.5645 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD50P04P413ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPD50P04P413ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD50P04P413ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD50P04P413ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50P04P413ATMA2
Opis	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-313
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD50P04P413ATMA2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ P2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12,6mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 85µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3670 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	58W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-313
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50