Kanał N 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R026M2HXTMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IMCQ120R026M2HXTMA1
Opis
SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta
39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IMCQ120R026M2HXTMA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™ G2
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
82A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
25,4mOhm przy 27A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,1V przy 8,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
63.4 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2540 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
405W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-HDSOP-22-3
Obudowa / skrzynia
Moduł 22-PowerBSOP
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 424
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
149,54000 zł49,54 zł
1034,54300 zł345,43 zł
10027,24300 zł2 724,30 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
75022,25740 zł16 693,05 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:49,54000 zł
Cena jednostkowa z VAT:60,93420 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
9 Pozycje
IMCQ120R017M2HXTMA1

IMCQ120R017M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

67,57000 zł
IMCQ120R010M2HXTMA1

IMCQ120R010M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 195A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

102,43000 zł
IMCQ120R007M2HXTMA1

IMCQ120R007M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 257A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

136,00000 zł
AIMCQ120R020M1TXTMA1

AIMCQ120R020M1TXTMA1

SIC_DISCRETE

Infineon Technologies

75,86000 zł
IMCQ120R005M2HXUMA1

IMCQ120R005M2HXUMA1

SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP

Infineon Technologies Americas Corp.

178,32000 zł
IMCQ120R040M2HXTMA1

IMCQ120R040M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 56A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

39,00000 zł
IMCQ120R034M2HXTMA1

IMCQ120R034M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 64A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

41,14000 zł
IMCQ120R078M2HXTMA1

IMCQ120R078M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 31A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

28,75000 zł
IMCQ120R053M2HXTMA1

IMCQ120R053M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP

Infineon Technologies

33,89000 zł