
SI7938DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI7938DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7938DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7938DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI7938DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 40V 60A 46W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI7938DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 40V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 60A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 5,8mOhm przy 18,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 65nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2300pF przy 20V | |
Moc - maks. | 46W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,11000 zł | 8,11 zł |
| 10 | 5,19600 zł | 51,96 zł |
| 100 | 3,53500 zł | 353,50 zł |
| 500 | 2,82348 zł | 1 411,74 zł |
| 1 000 | 2,73212 zł | 2 732,12 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,30431 zł | 6 912,93 zł |
| 6 000 | 2,23213 zł | 13 392,78 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,11000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,97530 zł |











