
SI7288DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI7288DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7288DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7288DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI7288DP-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 40V 20A 15,6W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI7288DP-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 40V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 20A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 19mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,8V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 15nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 565pF przy 20V | |
Moc - maks. | 15,6W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® SO-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,58000 zł | 7,58 zł |
| 10 | 4,83900 zł | 48,39 zł |
| 100 | 3,27310 zł | 327,31 zł |
| 500 | 2,60328 zł | 1 301,64 zł |
| 1 000 | 2,46391 zł | 2 463,91 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,01300 zł | 6 039,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,58000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,32340 zł |










