
SI7232DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI7232DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 25A 23W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SI7232DN-T1-GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 25A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 16,4mOhm przy 10A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 32nC przy 8V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1220pF przy 10V | |
Moc - maks. | 23W | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® 1212-8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,61000 zł | 4,61 zł |
| 10 | 2,90700 zł | 29,07 zł |
| 100 | 1,92030 zł | 192,03 zł |
| 500 | 1,49614 zł | 748,07 zł |
| 1 000 | 1,35960 zł | 1 359,60 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,18615 zł | 3 558,45 zł |
| 6 000 | 1,09883 zł | 6 592,98 zł |
| 9 000 | 1,05435 zł | 9 489,15 zł |
| 15 000 | 1,02678 zł | 15 401,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,61000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,67030 zł |










