Name: SI7232DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7232DN-T1-GE3TR-ND
Price: 5.8056 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7232DN-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SI7232DN-T1-GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 25A 23W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SI7232DN-T1-GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16,4mOhm przy 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32nC przy 8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1220pF przy 10V
Moc - maks.	23W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 1212-8 podwójny
Bazowy numer produktu	SI7232