Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
SI2343DS-T1-GE3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SI2343DS-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SI2343DS-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SI2343DS-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SI2343DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SI2343DS-T1-GE3 |
Opis | MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 30 V 3,1A (Ta) 750mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 53mOhm przy 4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 540 pF @ 15 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | SOT-23-3 (TO-236) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
Przestarzałe
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
2 Pozycje
Polska