IRLR014TRL jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

IRLR014PBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,18000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

IRLR014TR
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

IRLR014TRLPBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 1,99441 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

IRLR014TRPBF
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 7,18000 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

SIHLR014-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,89148 zł
Arkusz danych

Odpowiednik parametryczny

SIHLR014TRL-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,86020 zł
Arkusz danych

Similar

FQD13N06TM
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

NTD3055-150T4G
onsemi
W magazynie: 3 136
Cena jednostkowa : 4,96000 zł
Arkusz danych

Similar

NVD3055L170T4G-VF01
onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 2,86000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 60 V 7,7A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRLR014TRL

Numer produktu DigiKey
IRLR014TRL-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
IRLR014TRL
Opis
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 7,7A (Tc) 2,5W (Ta), 25W (Tc) Montaż powierzchniowy D-PAK
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
7,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4V, 5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
200mOhm przy 4,6A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
400 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
D-PAK
Obudowa / skrzynia
TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu
IRLR014
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę