
SSM6P69NU,LF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SSM6P69NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6P69NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6P69NULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SSM6P69NU,LF |
Opis | MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 20V 4A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-µDFN (2x2) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SSM6P69NU,LF Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały P (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego, sterowanie 1,8V | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 20V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 45mOhm przy 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,2V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 6,74nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 480pF przy 10V | |
Moc - maks. | 1W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 6-WDFN podkładka odsłonięta | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 6-µDFN (2x2) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,43000 zł | 2,43 zł |
| 10 | 1,50700 zł | 15,07 zł |
| 100 | 0,96750 zł | 96,75 zł |
| 500 | 0,73450 zł | 367,25 zł |
| 1 000 | 0,65921 zł | 659,21 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,54664 zł | 1 639,92 zł |
| 6 000 | 0,49988 zł | 2 999,28 zł |
| 9 000 | 0,47604 zł | 4 284,36 zł |
| 15 000 | 0,44926 zł | 6 738,90 zł |
| 21 000 | 0,43340 zł | 9 101,40 zł |
| 30 000 | 0,41964 zł | 12 589,20 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,43000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,98890 zł |










