Name: SSM6K514NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K514NULFTR-ND
Price: 3.2841 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SSM6K514NU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6K514NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6K514NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6K514NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K514NU,LF
Opis	MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 12A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-UDFNB (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6K514NU,LF Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	U-MOSIX-H
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,6mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,4V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1110 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-UDFNB (2x2)
Obudowa / skrzynia	6-WDFN podkładka odsłonięta
Bazowy numer produktu	SSM6K514

Cena jednostkowa bez VAT:	2,67000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,28410 zł

SSM6K514NU,LF