RQ3P300BETB1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

STL8N10F7
STMicroelectronics
W magazynie: 2 930
Cena jednostkowa : 5,11000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
8 HSMT

RQ3P300BETB1

Numer produktu DigiKey
RQ3P300BETB1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta
RQ3P300BETB1
Opis
MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 10A (Ta), 36A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HSMT (3,2x3)
Modele EDA/CAD
RQ3P300BETB1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
10A (Ta), 36A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
21mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 200µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
19.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1250 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-HSMT (3,2x3)
Obudowa / skrzynia
8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu
RQ3P300
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.