


QS8M31TR | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | QS8M31TR-ND - Taśma i szpula (TR) QS8M31CT-ND - Taśma cięta (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | QS8M31TR |
Opis | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | Kanał N i P | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 112mOhm przy 3A, 10V, 210mOhm przy 2A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2.5V przy 1mA, 3V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 4nC przy 5V, 7,2nC przy 5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 270pF przy 10V, 750pF przy 10V | |
Moc - maks. | 1,1W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SMD, odprowadzenia płaskie | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TSMT8 | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,47000 zł | 4,47 zł |
| 10 | 2,80400 zł | 28,04 zł |
| 100 | 1,84760 zł | 184,76 zł |
| 500 | 1,43582 zł | 717,91 zł |
| 1 000 | 1,30325 zł | 1 303,25 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,13486 zł | 3 404,58 zł |
| 6 000 | 1,05008 zł | 6 300,48 zł |
| 9 000 | 1,00689 zł | 9 062,01 zł |
| 15 000 | 0,96990 zł | 14 548,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,47000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 5,49810 zł |


