Name: QH8KE6TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8KE6TCRTR-ND
Price: 6.5313 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

QH8KE6TCR
Numer produktu DigiKey	846-QH8KE6TCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-QH8KE6TCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-QH8KE6TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Rohm Semiconductor
Numer produktu producenta	QH8KE6TCR
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 4A TSMT8
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 4A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Rohm Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	56mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6,7nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	305pF przy 50V
Moc - maks.	1,1W (Ta)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SMD, odprowadzenia płaskie
Obudowa dostawcy urządzenia	TSMT8