


QH8KE6TCR | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 846-QH8KE6TCRTR-ND - Taśma i szpula (TR) 846-QH8KE6TCRCT-ND - Taśma cięta (CT) 846-QH8KE6TCRDKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | QH8KE6TCR |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 4A TSMT8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 4A (Ta) 1,1W (Ta) Montaż powierzchniowy TSMT8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Rohm Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 4A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 56mOhm przy 4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 6,7nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 305pF przy 50V | |
Moc - maks. | 1,1W (Ta) | |
Temperatura robocza | 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-SMD, odprowadzenia płaskie | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TSMT8 |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,18000 zł | 5,18 zł |
| 10 | 3,27500 zł | 32,75 zł |
| 100 | 2,17530 zł | 217,53 zł |
| 500 | 1,70348 zł | 851,74 zł |
| 1 000 | 1,55156 zł | 1 551,56 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,35860 zł | 4 075,80 zł |
| 6 000 | 1,26149 zł | 7 568,94 zł |
| 9 000 | 1,21203 zł | 10 908,27 zł |
| 15 000 | 1,20535 zł | 18 080,25 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,18000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,37140 zł |







