PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

PJD1NA50_L2_00001
Numer produktu DigiKey	3757-PJD1NA50_L2_00001TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3757-PJD1NA50_L2_00001CT-ND - Taśma cięta (CT) 3757-PJD1NA50_L2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Panjit International Inc.
Numer produktu producenta	PJD1NA50_L2_00001
Opis	500V N-CHANNEL MOSFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 1A (Ta) 25W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Panjit International Inc.
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	95 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	25W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	PJD1NA50