Name: NVMTS4D3N15MC
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS4D3N15MCTR-ND
Price: 34.2186 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMTS4D3N15MC
Numer produktu DigiKey	488-NVMTS4D3N15MCTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMTS4D3N15MCCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMTS4D3N15MCDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMTS4D3N15MC
Opis	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFNW (8,3x8,4)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21A (Ta), 165A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,45mOhm przy 95A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 521µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	79 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6514 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 292W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFNW (8,3x8,4)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN