Name: NVGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 6.2607 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVGS5120PT1G
Numer produktu DigiKey	NVGS5120PT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVGS5120PT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVGS5120PT1G
Opis	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 1,8A (Ta) 600mW (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NVGS5120PT1G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	111mOhm przy 2,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	18.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	942 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	600mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Bazowy numer produktu	NVGS5120