Name: NVBLS1D2N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBLS1D2N08XTXGTR-ND
Price: 25.5225 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVBLS1D2N08XTXG
Numer produktu DigiKey	488-NVBLS1D2N08XTXGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVBLS1D2N08XTXGCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVBLS1D2N08XTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVBLS1D2N08XTXG
Opis	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 299A (Tc) 197W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-HPSOF
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	299A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,1mOhm przy 95A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 475µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	121 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8618 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	197W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-HPSOF
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 870

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®