Name: NTMS10P02R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS10P02R2GOSTR-ND
Price: 9.3234 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMS10P02R2G
Numer produktu DigiKey	NTMS10P02R2GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTMS10P02R2GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTMS10P02R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMS10P02R2G
Opis	MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 8,8A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTMS10P02R2G Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	8,8A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14mOhm przy 10A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	70 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3640 pF @ 16 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,6W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	NTMS10