Name: NTMFS0D4N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS0D4N04XMT1GTR-ND
Price: 15.7071 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTMFS0D4N04XMT1G
Numer produktu DigiKey	488-NTMFS0D4N04XMT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NTMFS0D4N04XMT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NTMFS0D4N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTMFS0D4N04XMT1G
Opis	40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PA
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 509A (Tc) 197W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	509A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,42mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 330µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	133 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8577 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	197W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	NTMFS0