FQP12P20 onsemi | Półprzewodniki dyskretne

FQP12P20 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Vishay Siliconix

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 11,13000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FQP12P20
Numer produktu DigiKey	FQP12P20-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FQP12P20
Opis	MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 200 V 11,5A (Tc) 120W (Tc) Otwór przelotowy TO-220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FQP12P20 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	QFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	470mOhm przy 5,75A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	120W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	FQP12