Name: FDMS86183
Brand: onsemi
SKU: FDMS86183TR-ND
Price: 9.7662 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS86183
Numer produktu DigiKey	FDMS86183TR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS86183CT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS86183DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS86183
Opis	MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 51A (Tc) 63W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDMS86183 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	51A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12,8mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 90µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1515 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	63W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	FDMS86