Name: FDMS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMS6673BZTR-ND
Price: 10.1352 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDMS6673BZ
Numer produktu DigiKey	FDMS6673BZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDMS6673BZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDMS6673BZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDMS6673BZ
Opis	MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 15,2A (Ta), 28A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) Montaż powierzchniowy PQFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15,2A (Ta), 28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,8mOhm przy 15,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5915 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PQFN (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	FDMS6673