Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 6.9372 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDD1600N10ALZ
Numer produktu DigiKey	FDD1600N10ALZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDD1600N10ALZ
Opis	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 6,8A (Tc) 14,9W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDD1600N10ALZ Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	PowerTrench®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6,8A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	160mOhm przy 3,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,8V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	3.61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	225 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	14,9W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	FDD1600