IXFH20N60 jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 79
Cena jednostkowa : 19,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 35,42880 zł
Arkusz danych

Similar


Microchip Technology
W magazynie: 1
Cena jednostkowa : 49,41000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 4
Cena jednostkowa : 36,38000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 280
Cena jednostkowa : 28,69000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 839
Cena jednostkowa : 12,85000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 13,54200 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 552
Cena jednostkowa : 34,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 203
Cena jednostkowa : 34,66000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 136
Cena jednostkowa : 20,35000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 2 739
Cena jednostkowa : 18,04000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 36,97000 zł
Arkusz danych
TO-247_IXFH
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
TO-247_IXFH
HiPerFET_TO-247-3

IXFH20N60

Numer produktu DigiKey
IXFH20N60-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXFH20N60
Opis
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 20A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD (IXFH)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IXFH20N60 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
350mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4500 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD (IXFH)
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę