Name: SPD50P03LGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD50P03LGBTMA1TR-ND
Price: 13.9605 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SPD50P03LGBTMA1
Numer produktu DigiKey	SPD50P03LGBTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) SPD50P03LGBTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) SPD50P03LGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	SPD50P03LGBTMA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 50A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SPD50P03LGBTMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6880 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-5
Obudowa / skrzynia	TO-252-5, DPAK (4 odpr. + wypust), TO-252AD
Bazowy numer produktu	SPD50P03

Cena jednostkowa bez VAT:	11,35000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,96050 zł

SPD50P03LGBTMA1