Name: ISC055N15NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC055N15NM6ATMA1TR-ND
Price: 25.9284 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

ISC055N15NM6ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC055N15NM6ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC055N15NM6ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC055N15NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC055N15NM6ATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 15,4A (Ta), 130A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC055N15NM6ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 6
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15,4A (Ta), 130A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	8V, 15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,2mOhm przy 50A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 110µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4000 pF @ 75 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	21,08000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	25,92840 zł

ISC055N15NM6ATMA1