Name: ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 21.1068 PLN
Availability: InStock

Kanał N 60 V 32A (Ta), 275A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ISC015N06NM5LF2ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	ISC015N06NM5LF2ATMA1
Opis	TRENCH 40<-<100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 32A (Ta), 275A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ISC015N06NM5LF2ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,55mOhm przy 50A, 10V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,45V przy 120µA
Seria OptiMOS™ 5	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 113 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9000 pF @ 30 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 32A (Ta), 275A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8, FL
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN