IRF9952PBF nie jest dostępne w magazynie, a zamówienia niezrealizowane nie są aktualnie dostępne.
Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

IRF9952TRPBF
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,64000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
MOSFET - układy 30V 3,5A, 2,3A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF9952PBF

Numer produktu DigiKey
IRF9952PBF-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IRF9952PBF
Opis
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
MOSFET - układy 30V 3,5A, 2,3A 2W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Producent
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Produkt wycofany z oferty DigiKey
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja
Kanał N i P
Charakterystyka FET
Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
3,5A, 2,3A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
100mOhm przy 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
14nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
190pF przy 15V
Moc - maks.
2W
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia
8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia
8-SO
Bazowy numer produktu
IRF995
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji. Wyświetl Zamienniki lub Rodzaje opakowań alternatywnych.