
IRF5210PBF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IRF5210PBF-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IRF5210PBF |
Opis | MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 26 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał P 100 V 40A (Tc) 200W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IRF5210PBF Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 60mOhm przy 24A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 180 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2700 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 200W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,64000 zł | 11,64 zł |
| 50 | 5,81580 zł | 290,79 zł |
| 100 | 5,25030 zł | 525,03 zł |
| 500 | 4,25820 zł | 2 129,10 zł |
| 1 000 | 3,93948 zł | 3 939,48 zł |
| 2 000 | 3,67155 zł | 7 343,10 zł |
| 5 000 | 3,63300 zł | 18 165,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,64000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 14,31720 zł |










