


IPG20N10S4L22ATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPG20N10S4L22ATMA1 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 20A 60W Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPG20N10S4L22ATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | Bramka poziomu logicznego | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 20A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 22mOhm przy 17A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,1V przy 25µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 27nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1755pF przy 25V | |
Moc - maks. | 60W | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerVDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TDSON-8-4 | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 8,56000 zł | 8,56 zł |
| 10 | 5,50500 zł | 55,05 zł |
| 100 | 3,75150 zł | 375,15 zł |
| 500 | 3,00062 zł | 1 500,31 zł |
| 1 000 | 2,92533 zł | 2 925,33 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 5 000 | 2,38998 zł | 11 949,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,56000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,52880 zł |












