


IPD80R2K8CEATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPD80R2K8CEATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPD80R2K8CEATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,8Ohm przy 1,1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,9V przy 120µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 290 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 42W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO252-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,98000 zł | 5,98 zł |
| 10 | 3,77100 zł | 37,71 zł |
| 100 | 2,50700 zł | 250,70 zł |
| 500 | 1,96458 zł | 982,29 zł |
| 1 000 | 1,78996 zł | 1 789,96 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,41179 zł | 3 529,48 zł |
| 5 000 | 1,30881 zł | 6 544,05 zł |
| 7 500 | 1,26973 zł | 9 522,98 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,98000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,35540 zł |








