


IPD80R1K4CEATMA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | IPD80R1K4CEATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD80R1K4CEATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD80R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | IPD80R1K4CEATMA1 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | IPD80R1K4CEATMA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Nie do nowych projektów | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 1,4Ohm przy 2,3A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,9V przy 240µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 570 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 63W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO252-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,07000 zł | 7,07 zł |
| 10 | 4,48900 zł | 44,89 zł |
| 100 | 3,01530 zł | 301,53 zł |
| 500 | 2,38326 zł | 1 191,63 zł |
| 1 000 | 2,17995 zł | 2 179,95 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,72829 zł | 4 320,73 zł |
| 5 000 | 1,61874 zł | 8 093,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,07000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,69610 zł |








