Name: IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND
Price: 5.2398 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD60R1K5PFD7SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 3,6A (Tc) 22W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-344
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ PFD7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5Ohm przy 700mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 40µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	169 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	22W (Tc)
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-344
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD60R