Name: IPB60R080P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R080P7ATMA1TR-ND
Price: 22.017 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPB60R080P7ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB60R080P7ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB60R080P7ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB60R080P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB60R080P7ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB60R080P7ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ P7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	37A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	80mOhm przy 11,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 590µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2180 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	129W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB60R080

Cena jednostkowa bez VAT:	17,90000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	22,01700 zł

IPB60R080P7ATMA1