EPC2108 EPC | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EPC2108
Numer produktu DigiKey	917-1169-2-ND - Taśma i szpula (TR) 917-1169-1-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	EPC
Numer produktu producenta	EPC2108
Opis	MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V, 100V 1,7A, 500mA Montaż powierzchniowy 9-BGA (1,35x1,35)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	EPC
Seria	eGaN®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Nieaktualne
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Konfiguracja	3 kanały N (półmostek + synchroniczne ładowanie początkowe)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60V, 100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,7A, 500mA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	190mOhm przy 2,5A, 5V, 3,3Ohm przy 2,5A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 100µA, 2,5V przy 20µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0,22nC przy 5V, 0,044nC przy 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	22pF przy 30V, 7pF przy 30V
Moc - maks.	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	9-VFBGA
Obudowa dostawcy urządzenia	9-BGA (1,35x1,35)
Bazowy numer produktu	EPC210