Name: DMN1019USN-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-13DITR-ND
Price: 2.6568 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN1019USN-13
Numer produktu DigiKey	DMN1019USN-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN1019USN-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN1019USN-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN1019USN-13
Opis	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 12 V 9,3A (Ta) 680mW (Ta) Montaż powierzchniowy SC-59-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,3A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,2V, 2,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	800mV przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50.6 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2426 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	680mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-59-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	DMN1019

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 12 729

Zapas fabryczny: 10 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®