Kanał N 650 V 29A (Tc) 1,1W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (8x8)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CDFG6558N TR13 PBFREE

Numer produktu DigiKey
1514-CDFG6558NTR13PBFREETR-ND - Taśma i szpula (TR)
1514-CDFG6558NTR13PBFREECT-ND - Taśma cięta (CT)
1514-CDFG6558NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Central Semiconductor Corp
Numer produktu producenta
CDFG6558N TR13 PBFREE
Opis
GANFET N-CH 650V 29A 8DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta
25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 29A (Tc) 1,1W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (8x8)
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Central Semiconductor Corp
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
29A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
80mOhm przy 8A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 30,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
6.2 nC @ 6 V
Vgs (maks.)
+7V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
225 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1,1W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
8-DFN (8x8)
Obudowa / skrzynia
8-VDFN podkładka odsłonięta
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 2 443
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
138,86000 zł38,86 zł
1026,86000 zł268,60 zł
10022,45800 zł2 245,80 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 50018,34807 zł45 870,18 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:38,86000 zł
Cena jednostkowa z VAT:47,79780 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
6 Pozycje
TSG65N068CE RVG

TSG65N068CE RVG

650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR

Taiwan Semiconductor Corporation

82,96000 zł
61300311021

61300311021

CONN HEADER R/A 3POS 2.54MM

Würth Elektronik

1,29000 zł
TP65H070G4LSG-TR

TP65H070G4LSG-TR

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Renesas Electronics Corporation

28,39000 zł
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

45,00000 zł
GAN080-650EBEZ

GAN080-650EBEZ

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Nexperia USA Inc.

27,61000 zł
TP65H070LSG-TR

TP65H070LSG-TR

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

Renesas Electronics Corporation

51,61000 zł