
SUP90100E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SUP90100E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SUP90100E-GE3 |
Opis | N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO- |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 7,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 10,9mOhm przy 16A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 3930 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 375W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-220AB | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 16,39000 zł | 16,39 zł |
| 10 | 10,83600 zł | 108,36 zł |
| 100 | 7,68030 zł | 768,03 zł |
| 500 | 6,33402 zł | 3 167,01 zł |
| 1 000 | 5,90174 zł | 5 901,74 zł |
| 2 000 | 5,82585 zł | 11 651,70 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 16,39000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 20,15970 zł |





