
SIS892DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIS892DN-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIS892DN-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIS892DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIS892DN-T1-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 49 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 30A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4,5V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 29mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±20V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 611 pF @ 50 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 1212-8 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,64000 zł | 7,64 zł |
| 10 | 4,88200 zł | 48,82 zł |
| 100 | 3,30850 zł | 330,85 zł |
| 500 | 2,63526 zł | 1 317,63 zł |
| 1 000 | 2,51355 zł | 2 513,55 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,14401 zł | 6 432,03 zł |
| 6 000 | 2,05356 zł | 12 321,36 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,64000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,39720 zł |






