Name: SIR606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606DP-T1-GE3TR-ND
Price: 9.3234 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

SIR606DP-T1-GE3
Numer produktu DigiKey	SIR606DP-T1-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SIR606DP-T1-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SIR606DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR606DP-T1-GE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	33 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 37A (Tc) 44,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR606DP-T1-GE3 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	37A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	16,2mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,6V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1360 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	44,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIR606

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
3 000	2,12071 zł	6 362,13 zł
6 000	2,01986 zł	12 119,16 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	7,58000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,32340 zł

SIR606DP-T1-GE3